GE dimostra Ultra-High Temperature SiC MOSFET Electronics
Un team di scienziati di GE Research ha stabilito un nuovo record, dimostrando SiC MOSFETs (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors) in grado di tollerare temperature superiori a 800° C. “Questo è almeno 200° C in più rispetto alle dimostrazioni precedentemente note di questa tecnologia e mostra il potenziale dei SiC MOSFETs per supportare applicazioni future in ambienti operativi estremi. Sfida anche ciòLEGGI TUTTO…










